na 2024/10/24 183

2N1711 Przewodnik tranzystorowy: Pinout, specyfikacje i równoważne modele

2N1711 to tranzystor NPN na bazie krzemowym umieszczony w trwałym pakiecie metalowym do 39.Znany ze swojej niezawodności, jest to ulubiony wybór do projektowania wzmacniaczy o wysokiej wydajności, oscylatorów i obwodów przełączania.Z godnymi uwagi specyfikacjami, takimi jak napięcie kolekcjonera-emitera 50 V i prąd kolektora do 3A, 2N1711 jest odpowiedni do wymagających zastosowań.Ten artykuł przechodzi w kluczowe funkcje, praktyczne zastosowania i zalety korzystania z 2N1711, ilustrując, dlaczego pozostaje komponentem w precyzyjnych projektach elektronicznych.

Katalog

Zrozumienie 2N1711

. 2N1711 Tranzystor, zamknięty w pakiecie metalowym TO-39, odgrywa różnorodne role, takie jak przełączanie, amplifikacja i oscylacja.Obsługuje do 500 mA prądu kolektora w przełączaniu i wytrzymuje szczytowe prądy kolektorów do 1A, wręcznie zarządzając krótkimi wzrostami prądu wysokiego.Ta zdolność sprawia, że ​​2N1711 jest niezawodny wybór dla obwodów, które wymagają szybkich i dynamicznych odpowiedzi.

W swoich praktycznych zastosowaniach lśni elastyczny charakter 2N1711.Wyróżnia się szybko przełączającymi prądami, dzięki czemu nadaje się do szeregu zastosowań, od prostej amplifikacji sygnału po skomplikowane zadania oscylacyjne.Jego solidna konstrukcja zapewnia niezawodne działanie w różnych ustawieniach elektronicznych, odzwierciedlając lekcje wyciągnięte z faktycznego użycia, w których mają znaczenie precyzję i stabilność.

Wdrożenie 2N1711 podkreśla jego wymaganą rolę.Na przykład w obwodach amplifikacji audio może znacznie zwiększyć jasność dźwięku i wierność.Ulepszenia te pokazują, że nawet w przypadku postępów technologicznych tradycyjne elementy, takie jak 2N1711, pozostają kluczowe w osiągnięciu wyjątkowej wydajności.

2N1711 Konfiguracja PIN

Specyfikacje techniczne

Typ	Parametr
Uchwyt	Przez dziurę
Typ montażu	Przez dziurę
Pakiet / obudowa	To-205AD, do 39-3 metal
Liczba szpilek	3
Waga	4.535924G
Materiał elementu tranzystora	Krzem
Napięcie podziału kolektora-emitera	50 V.
Liczba elementów	1
Hfe (min)	40
Temperatura robocza	175 ° C TJ
Opakowanie	Rura
Kod JESD-609	E3
Kod PBFree	Tak
Status części	Przestarzały
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)	1 (nieograniczony)
Liczba terminów	3
Końcowe wykończenie	Matowa cyna (SN)
Napięcie - znamionowe DC	75 V.
Max rozpraszanie mocy	800 mW
Pozycja końcowa	Spód
Forma końcowa	Drut
Obecna ocena	500MA
Częstotliwość	100 MHz
Podstawowy numer części	2n17
Liczba pinów	3
Konfiguracja elementu	Pojedynczy
Rozpraszanie mocy	800 mW
Aplikacja tranzystorowa	Przełączanie
Zdobądź produkt przepustowości	100 MHz
Typ polarności/kanału	NPN
Typ tranzystora	NPN
Napięcie emitera kolektora (VCEO)	50 V.
Maksymalny prąd kolekcjonerski	500MA
DC Current wzmocnienie (hfe) @ ic, vce	35 @ 100 mA, 10 V
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)	10na ICBO
VCE Nasycenie (Max) @ ib, ic	1,5 V @ 15mA, 150 mA
Częstotliwość przejściowa	100 MHz
Napięcie podstawy kolektora (VCBO)	75 V.
Napięcie podstawy emitera (VEBO)	7v
Wysokość	6,6 mm
Długość	9,4 mm
Szerokość	9,4 mm
Hartowanie promieniowania	NIE
Status Rohs	ROHS3 zgodne
Ołów za darmo	Ołów za darmo

Cechy 2N1711

Funkcja	Opis
Typ pakietu	Do 39
Typ tranzystora	NPN
Maksymalny prąd kolekcjonerski (IC)	500 mA
Napięcie MAX Collector-emitter (VCE)	50 v
Napięcie bazowe maksymalnie (VCB)	75 v
Napięcie bazy max (VBE)	7 v
Maksymalne rozpraszanie kolektora (PC)	800 MW
MAX TRANSITION CZĘSTOTA (FT)	100 MHz
Minimalny i maksymalny wzmocnienie prądu prądu stałego (HFE)	100 do 300
Max Storage, działanie i zakres temperatur	-65 ° C do 200 ° C.

Korzyści z tranzystora 2N1711

Ulepszone zarządzanie napięciem

Znany z odporności w obsłudze podwyższonych napięć, 2N1711 jest opiekunem przeciwko awarii.W projektach zasilania zapewniająca niezawodność pod wpływem stresu staje się bardziej widoczna.Wybierając komponenty z taką wytrzymałością napięcia, elektronika przetrwa i rozwija się w trudnych warunkach, oferując spokój ducha tym, którzy na nich polegają.

Efektywne zużycie mocy

Wykazując minimalny prąd upływowy, 2N1711 optymalizuje wydajność obwodu, minimalizując nieuzasadnione zużycie mocy podczas braku aktywności.Zwłaszcza w urządzeniach zasilanych baterią cecha ta staje się dobrodziejstwem, rozszerzając odstępy między ładunkami i pielęgnując żywotność urządzenia.Często możesz wybrać tranzystory z tą funkcją, aby stworzyć bardziej zrównoważone projekty.

Precyzja sygnału z minimalną zakłócenia

Ze względu na niską pojemność tranzystor ten minimalizuje zakłócenia sygnałów o wysokiej częstotliwości, stając się filarem niezawodności w zastosowaniach RF.Tam, gdzie poszukiwana jest jasność i precyzja, takie wydajność zapewnia, że ​​urządzenia komunikacyjne utrzymują integralność sygnału, wywołując zaufanie do swoich użytkowników.

Wszechstronne obchodzenie się z prądem dla stabilnej wydajności

Szeroki obecny zakres, w połączeniu ze stabilną wersją beta, oferuje zdolność adaptacji w scenariuszach wzmacniających, wdzięcznie dostosowując różne obciążenia bez znacznych wahań zysku.Ten atrybut usprawnia procesy projektowe, zapewniając spójną wydajność w różnych krajobrazach operacyjnych.Tranzystory z tymi cechami są preferowane ze względu na ich niezawodność w dostarczaniu przewidywalnych odpowiedzi obwodowych.

Zastosowania 2N1711

Możliwości przełączania

Tranzystor 2N1711 często znajduje miejsce w różnych aplikacjach przełączających.Jego solidna kompilacja sprawia, że ​​jest dostosowany do zadań o średnim mocy, nawet w trudnych scenariuszach.Możesz go sprzyjać w obwodach wymagających szybkich przejść, wykorzystując jego niezawodną biegłość przełączania w celu zwiększenia reakcji systemu.Doświadczenie wskazuje, że jego stała wydajność w różnych warunkach sprawia, że ​​jest to godny zaufania wybór systemów dynamicznych.

Wzmocnienie dźwięku

W konfiguracjach audio 2N1711 działa jako kompetentny wzmacniacz.Możesz docenić jego zdolność do zwiększenia jasności dźwięku poprzez wzmacniając sygnały przy minimalnym zniekształceniu.Jego rola w obwodach analogowych podkreśla jego znaczenie w utrzymywaniu integralności sygnału, która jest aktywna dla dźwięku o wysokiej wierności.Często możesz się do niego zwrócić w przypadku projektów audio DIY, ceniąc jego precyzję i niezawodność.

Wstępne amplifikacja

Domena wstępnej amplifikacji to kolejny obszar, w którym świeci 2N1711.Przygotowuje sygnały do ​​dalszych etapów wzmocnienia, zapewniając, że wyniki są zarówno jasne, jak i wierne.Jego niski profil szumu sprawia, że ​​pasuje do wrażliwych aplikacji audio i radiowych, w których wczesna jakość sygnału odgrywa główną rolę w wyniku.Korzystanie z 2N1711 w wstępnym amplifikacji może znacznie zwiększyć wydajność.

Aplikacje RF

Zasięg 2N1711 rozciąga się na zadania częstotliwości radiowej, gdzie skutecznie obsługuje sygnały RF.Jego zdolność do działania przy wysokich częstotliwościach powoduje, że jest ceniona w obwodach RF.Możesz polegać na jego stabilności i precyzji, aby utrzymać spójną jakość komunikacji, gdzie aktywne jest utrzymanie siły sygnału przed zakłóceniami.Rzeczywiste użycie tego komponentu często podkreśla jego główną rolę w postępach technologicznych RF.

Ogólne wzmocnienie sygnału

Oprócz konkretnych zastosowań 2N1711 jest stosowany do ogólnej amplifikacji sygnału.Pomaga w projektach, od małej elektroniki po złożone projekty obwodów, oferując przydatne funkcje wzmocnienia.Jego elastyczność umożliwia z łatwością sprostanie różnych wymagań obwodów, konsekwentnie zapewniając zaległe wyniki w wielu zastosowaniach.Ta wszechstronność ucieleśnia szerszą strategię stosowania elastycznych komponentów w celu uproszczenia projektowania i wykonywania w różnych przedsięwzięciach technologicznych.

Alternatywy dla tranzystora 2N1711

-2n3019

Funkcjonalność obwodu 2N1711

Szczegóły obwodu

Tranzystor 2N1711 pokazuje niezwykłą zdolność adaptacyjną, płynnie dopasowując się do wspólnej podstawy, wspólnego emitera i wspólnych konfiguracji kolekcjonera.Każda konfiguracja oferuje swoje zalety.W szczególności wspólna konfiguracja emitera jest ceniona ze względu na imponujące napięcie i wzmocnienie mocy.Często zwiększa wytrzymałość sygnału wejściowego o około 20dB, tłumacząc się na stokrotnie wzrost.Tutaj napięcie kolektora przewyższa napięcie podstawowe, podczas gdy prąd emitera obejmuje prądy podstawowe i kolekcjonerskie, wykazując skumulowany przepływ prądu.

Wariacje domieszkowania odgrywają kluczową rolę w operacjach tranzystorowych.Emiter przechodzi ciężkie domieszkowanie, a tym samym obniżając odporność i wzmacniając wtrysk elektronów.I odwrotnie, kolektor otrzymuje lekkie domieszkowanie, aby ułatwić wydajne pobieranie i zminimalizowanie utraty mocy.Różnice te kształtują cechy wzmocnienia i zapewniają niezawodność w różnych zastosowaniach.

Zrozumienie obecnego współczynnika amplifikacji, wskazanego przez beta (β), pomaga w tworzeniu wydajnych obwodów.Definiuje stosunek prądu kolektora do prądu podstawowego, pomagając w prognozowaniu zachowania tranzystora w różnych warunkach.Praktyczne zastosowania podkreślają, w jaki sposób staranna kontrola β może znacznie kołysać wydajność obwodu, wpływając na decyzje, w których stosuje się stabilność i wydajność.

Wymiary

Szczegóły producenta

Stmicroelectronics pojawia się jako znaczna siła w sektorze półprzewodników, celebrowana z przełomowych innowacji.Na czele mikroelektroniki specjalistyczna wiedza firmy błyszczy przez jej najnowocześniejsze możliwości, szczególnie w technologiach System-on Chip (SOC).Ich rozwiązania obejmują szeroki wachlarz pól, głęboko w sektorze motoryzacyjnym, przemysłowym, osobistym i komunikacyjnym, pokazując ich dalekosiężne wpływy.

Sprawność stmicroelektroniki w technologii SOC jest początkowym elementem ich sukcesu, ułatwiając scalanie skomplikowanych funkcjonalności w zunifikowane komponenty.Udoskonalając te rozwiązania, głęboko wpłynęły one na wydajność i wydajność urządzeń elektronicznych.Ta strategia maksymalizuje przestrzeń i wydajność energetyczną, jednocześnie podnosząc doświadczenia użytkowników na różnych platformach, odzwierciedlając ich zaangażowanie w postęp i doskonałość.

Arkusz danych pdf

2N1711 Arkuszy danych:

2N1711.pdf

2N3019 Arkuszy danych:

2N3019.pdf

Często zadawane pytania [FAQ]

1. Jakie jest zastosowanie 2N1711?

2N1711 to tranzystor NPN na bazie krzemu.Znajduje swoje miejsce w ustawieniach o wysokiej wydajności, takich jak wzmacniacze, oscylatory i przełączniki.Jego konstrukcja lśni głównie w nisko szumu wzmocnienia, co czyni go preferowanym wyborem do zastosowań audio i radiowych.W rzeczywistych aplikacjach jest ceniony w celu zwiększenia przejrzystości sygnału w urządzeniach komunikacyjnych i wrażliwej elektronice.Badanie udanych implementacji podkreśla, w jaki sposób wybór komponentów wpływa na ogólną wydajność systemu.

2. Jak działa 2N1711?

2N1711 działa jako dwubiegunowy tranzystor połączenia (BJT), wykorzystując zarówno otwory, jak i elektrony do przewodnictwa.Stosując dodatnie napięcie do podstawy, tranzystor moduluje większe prądy między emiterem a kolektorem, funkcjonując jako wzmacniacz prądowy.Proces ten pozwala na precyzyjną kontrolę w obwodach elektronicznych, pokazując jego rolę w regulacji i modulacji sygnału.Spostrzeżenia branży pokazują, że zręczna manipulacja prądem podstawowym może znacznie zwiększyć wydajność tranzystora, ilustrując zawiłości strategicznej inżynierii elektronicznej.