na 2024/11/10 100

Wszystko, co musisz wiedzieć o Mosfet AO4407A

AO4407A MOSFET to niezawodne i wydajne urządzenie kanału P 30 V, zaprojektowane do aplikacji wymagających stabilnego przełączania i sterowania.W tym artykule obejmuje jego funkcje, specyfikacje, wspólne zastosowania i wgląd w swojego producenta, co ułatwia zrozumienie jego roli w różnych systemach elektronicznych.

Katalog

Wprowadzenie do AO4407A

. AO4407A jest mosfetem kanałowym 30 V, zbudowanym do zastosowań wymagających wydajności i niezawodności.Pakowany w standardowym formacie SOIC-8, wykorzystuje zaawansowaną technologię wykopów, umożliwiając jej osiągnięcie niższego oporu w stanie (RDS ON) i zmniejszonym ładunku bramki.Ta konstrukcja pomaga zapewnić gładszą działalność przy minimalnej utraty mocy, co czyni go idealnym wyborem do aplikacji przełączania i modulacji szerokości impulsowej (PWM).Ocena bramki 25V dodatkowo zwiększa jego wszechstronność, umożliwiając jej obsługę różnorodnych obciążeń przy jednoczesnym zachowaniu stałej wydajności.Dzięki wydajnemu układowi i solidnej konstrukcji AO4407A dobrze dostosowuje się do wymagań nowoczesnych systemów elektronicznych, wspierając wydajne, niską energię w zakresie konfiguracji.

AO4407A Konfiguracja PIN

Model CAD AO4407A

AO4407A Symbol

AO4407A Footprint

Model 3D AO4407A

AO4407A Specyfikacje

Specyfikacje techniczne, cechy, cechy i komponenty o porównywalnych specyfikacjach Alpha i Omega Semiconductor Inc. AO4407A.

Typ	Parametr
Uchwyt	Mocowanie powierzchniowe
Typ montażu	Mocowanie powierzchniowe
Pakiet / obudowa	8-socjalna (szerokość 0,154, 3,90 mm)
Liczba szpilek	8
Materiał elementu tranzystora	Krzem
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25 ℃	12a Ta
Napięcie napędowe (maksymalne rds on, min RDS ON)	6v 20 V.
Liczba elementów	1
Rozpraszanie mocy (maks.)	3.1 W Ta
Temperatura robocza	-55 ° C ~ 150 ° C TJ
Opakowanie	Taśma i rolka (tr)
Opublikowany	2013
Status części	Nie do nowych projektów
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)	1 (nieograniczony)
Liczba terminów	8
Kod ECCN	Ear99
Pozycja końcowa	Podwójny
Forma końcowa	Kiwę
Liczba pinów	8
Konfiguracja	Singiel z wbudowaną diodą
Tryb pracy	Tryb ulepszenia
Rozpraszanie mocy	3.1 W.
Typ FET	Kanał P.
Aplikacja tranzystorowa	Przełączanie
RDS on (max) @ id, vgs	11mΩ @ 12a, 20 V
VGS (th) (max) @ id	3v @ 250 μA
Pojemność wejściowa (CISS) (Max) @ VDS	2600pf @ 15V
Ładunek bramy (QG) (max) @ vgs	39NC @ 10 V.
Drenaż napięcia źródłowego (VDSS)	30 V.
VGS (Max)	± 25 V.
Ciągły prąd spustowy (ID)	12a
Brama do napięcia źródłowego (VGS)	25 V.
DS Rozkład napięcia min	30 V.
Hartowanie promieniowania	NIE
Status Rohs	ROHS3 zgodne
Ołów za darmo	Ołów za darmo

Kluczowe funkcje AO4407A

Rodzaj tranzystora: MOSFET

AO4407A to kanał P, rodzaj tranzystora zaprojektowanego do kontroli prądu poprzez działanie jako przełącznik.Jego struktura umożliwia wydajną kontrolę nad przepływem elektrycznym, dzięki czemu jest bardzo odpowiednia do regulacji mocy w różnych zastosowaniach.

Kanał sterujący: kanał P.

Dzięki konfiguracji kanałów p AO4407A działa, umożliwiając przepływ prądu, gdy do bramki przyłożono napięcie ujemne.Ta funkcja jest pomocna w przełączaniu aplikacji, szczególnie w systemach korzystających z uproszczonych obwodów.

Maksymalne rozpraszanie mocy

AO4407A może obsłużyć do 3,1 watów rozpraszania mocy.Ta ocena oznacza, że ​​może bezpiecznie działać w środowiskach, w których poziomy mocy zmieniają się, utrzymując wydajność bez przegrzania lub odpadów energetycznych.

Maksymalne napięcie źródła drenażu

Ten MOSFET, który jest w stanie wytrzymać do 30 woltów między terminalami drenażowymi i źródłowymi, jest odpowiedni do zastosowań wymagających wyższych tolerancji napięcia, zapewniając elastyczność w różnych projektach obwodów.

Maksymalne napięcie bramki

AO4407A może obsłużyć maksymalne napięcie bramki 25 woltów.Ten atrybut oferuje niezawodność podczas pracy w obwodach, w których napięcia bramy są różne, umożliwiając stabilne działanie bez uszczerbku dla wydajności.

Napięcie progu bramy

Przy maksymalnym napięciu progu bramki 3 woltów AO4407A zaczyna prowadzić tylko po osiągnięciu tego progu.Ta cecha zapewnia, że ​​aktywuje się tylko w odpowiednich warunkach, zapobiegając przypadkowemu przełączaniu.

Maksymalny prąd spustowy

AO4407A może obsłużyć maksymalny prąd odpływowy 12 amperów.Pojemność ta sprawia, że ​​nadaje się do aplikacji wymagających umiarkowanego do wysokiego prądu, zapewniając stabilną i niezawodną wydajność pod obciążeniem.

Maksymalna temperatura połączenia

Zaprojektowany do działania w szerokim zakresie temperatur, AO4407A może wytrzymać temperatury połączenia do 150 ° C.Ta odporność pozwala skutecznie funkcjonować w różnych warunkach środowiskowych bez poniżania jego wydajności.

Czas wzrostu

AO4407A ma czas wzrostu o 9,4 nanosekund, co odnosi się do tego, jak szybko się włącza.Ten szybki czas reakcji sprawia, że ​​jest to idealny wybór do aplikacji, w których priorytetowe są priorytetowe rozkład czasu i wydajność, na przykład w obwodach PWM.

Pojemność źródła drenażu

Dzięki pojemnościom źródła odpływu 370 Picofarad, ten MOSFET skutecznie zarządza magazynowaniem energii między tymi dwoma terminalami.Ta funkcja jest pomocna w utrzymywaniu płynnego przepływu prądu i zmniejszenia szumu w czułej obwodach.

Odporność na stan

AO4407A ma odporność na stan 0,013 omów, co pomaga zminimalizować utratę mocy podczas pracy.Ta niska oporność zwiększa wydajność, dzięki czemu jest odpowiedni do zastosowań świadomych energii, w których zmniejszenie utraty mocy jest priorytetem.

Pakiet

Pakowane w formacie So-8, AO4407A jest kompaktowa i łatwa do zintegrowania z różnymi płytami obwodowymi.Jego konstrukcja pozwala na efektywne wykorzystanie przestrzeni, zapewniając elastyczność kompaktowych lub ograniczonych przestrzenią.

Equivivalents of AO4407A

• • AO4314

• • AO4354

• • AO4402

• • AO4403

• • AO4404B

• • AO4405

• • AO4406A

• • AO4407

• • IRF530

• • AO4409

• • AO4410

• • AO4411

• • AO4413

• • AO4415

• • AO4419

• • AO4420

• • AO4421

Zastosowania i wykorzystanie AO4407A

AO4407A jest dobrze odpowiednie do zastosowania jako przełącznik obciążenia lub w aplikacjach modulacji szerokości impulsowej (PWM).Poniżej znajdują się kilka kluczowych szczegółów MOSFET Kanałowego AO4407A:

• Ocena VDS -30 V

• ID z -12a (z VGS przy -20v)

• RDS (ON) mniej niż 11mΩ (z VGS przy -20 V)

• RDS (ON) mniej niż 13MΩ (z VGS przy -10 V)

• RDS (ON) mniej niż 17mΩ (z VGS przy -6v)

• W pełni przetestowane pod kątem niezakłóconego przełączania indukcyjnego (UIS)

• W pełni testowany pod kątem oporu bramki (RG)

Części o podobnych specyfikacjach do AO4407A

Części po prawej mają specyfikacje podobne do Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4407A.

Parametr	AO4407A	FDS6670A	SI4425DDY-T1-GE3	FDS6679AZ	IRF7821TRPBF
Producent	Półprzewodnik Alpha i Omega	Na półprzewodnik	Vishay Siliconix	Na półprzewodnik	Infineon Technologies
Uchwyt	Mocowanie powierzchniowe	Mocowanie powierzchniowe	Mocowanie powierzchniowe	Mocowanie powierzchniowe	Mocowanie powierzchniowe
Pakiet / obudowa	8-socjalna (szerokość 0,154, 3,90 mm)	8-socjalna (szerokość 0,154, 3,90 mm)	8-socjalna (szerokość 0,154, 3,90 mm)	8-socjalna (szerokość 0,154, 3,90 mm)	8-socjalna (szerokość 0,154, 3,90 mm)
Drenaż napięcia źródłowego (VDSS)	30 V.	30 V.	30 V.	-	-
Ciągły prąd spustowy (ID)	12a	-13a	-13a	13.6a	13a
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25 ° C	12a (TA)	19,7a (TC)	13a (TA)	13.6a (TA)	13a (TA)
Brama do napięcia źródłowego (VGS)	25 V.	20 V.	25 V.	20 V.	-
Rozpraszanie mocy	3.1 W.	5,7 W.	2,5 W.	2,5 W.	2,5 W.
Rozpraszanie mocy - maks.	3.1 W (TA)	2,5 W (TA), 5,7 W (TC)	2,5 W (TA), 5,7 W (TC)	2,5 W (TA)	2,5 W (TA)

AO4407A Wymiary fizyczne

O producencie: Alpha i Omega Semiconductor, Inc.

Alpha i Omega Semiconductor, Inc. (AOS) jest globalnym programistą i dostawcą elektrowni półprzewodników, znanych z łączenia innowacyjnego projektowania urządzeń, technologii procesów i wiedzy specjalistycznej opakowań.AOS oferuje szeroką gamę mosfetów energetycznych i powercin opracowanych w celu zaspokojenia rosnącej potrzeby wydajności energetycznej w zastosowaniach o wysokim żądaniu.Ich produkty są szeroko stosowane w przenośnej elektronice, wyświetlaczach płaskich paneli, pakietach akumulatorów, urządzeniach multimedialnych i zasilaczach.Koncentrując się na optymalizacji wydajności i efektywności kosztowej, AOS nadal obsługuje ewoluujące wymagania rynków o dużej objętości, zapewniając komponenty, które zwiększają efektywność energetyczną i niezawodność na różnych urządzeniach i technologiach.

Arkusz danych pdf

AO4407A Arkusz danych:

AO4407A.PDF

FDS6670A Arkusz danych:

FDS6670A.PDF

Arkusz danych SI4425DDY-T1-GE3:

SI4425DDY-T1-Ge3.pdf

FDS6679AZ Arkusz danych:

Fds6679az.pdf