Samsung wprowadza 12 nm poziomu 32 GB DDR5 DRAM, obsługując do 128 GB modułów pamięci
Według WCCFTech Samsung ogłosił uruchomienie pierwszego na świecie rozwiązania DDR5 DRAM 32 GB opartego na technologii procesowej 12NM, która może obsługiwać do 128 GB modułów pamięci.
Do tej pory producenci pamięci, tacy jak SK Hynix i Micron, dostarczyli 24 GB DDR5 DRAM, który może osiągnąć roztwór pamięci 96 GB, ale Samsung ma zwiększoną pojemność o 33,3% przy rozwiązaniu na poziomie 12 nm.W tym samym czasie Micron potwierdził również wprowadzenie 32 GB DDR5 DRAM, ale jak dotąd wydano tylko mapę drogową.
Samsung ogłosił rozpoczęcie masowej produkcji 12 nm poziomu 16 GB DDR5 DRAM w maju tego roku.Nowy poziom 12 nm 32 GB DDR5 DRAM ma rozpocząć masową produkcję pod koniec tego roku.
Samsung stwierdził, że przy 12 nm poziomie 32 GB rozwiązanie, które może osiągnąć do 1 TB modułów DRAM, może zaspokoić rosnące zapotrzebowanie na DRAM o dużej pojemności w erze sztucznej inteligencji.
Samsung opracował swój pierwszy 64 kb DRAM w 1983 roku i z powodzeniem zwiększył swoją zdolność DRAM o 500000 razy w ciągu ostatnich czterdziestu lat.
Najnowsze produkty pamięci Samsunga są opracowywane przy użyciu najnowocześniejszych procesów i technologii w celu poprawy gęstości integracji i optymalizacji projektowania.Mają najwyższą w branży pojemność pojedynczego DRAM i zapewniają dwukrotność pojemności 16 GB DDR5 DRAM w tej samej wielkości opakowania.
Wcześniej moduły DDR5 128 GB produkowane przy użyciu DRAM 16 GB wymagały zastosowania technologii krzemu poprzez dziurę (TSV).Teraz, stosując DRAM SAMSUNG 32 GB, moduły 128 GB można wytwarzać bez zastosowania technologii TSV, jednocześnie zmniejszając zużycie energii o około 10% w porównaniu z modułami 128 GB przy użyciu 16 GB DRAM.Ten przełom technologiczny sprawia, że ten produkt jest jednym z najlepszych rozwiązań dla przedsiębiorstw świadomych efektywności energetycznej, takich jak centra danych.
Na podstawie 32 GB DDR5 na poziomie 12 nm, Samsung planuje kontynuować rozszerzenie składu produktów DRAM o dużej pojemności, aby zaspokoić obecne i przyszłe potrzeby branży komputerowej i informatycznej.Samsung potwierdzi swoją pozycję lidera na rynku DRAM nowej generacji, zapewniając DRAM 12M 32 GB klientom w centrach danych, sztucznej inteligencji i aplikacjach obliczeniowych nowej generacji.
Samsung ogłosił rozpoczęcie masowej produkcji 12 nm poziomu 16 GB DDR5 DRAM w maju tego roku.Nowy poziom 12 nm 32 GB DDR5 DRAM ma rozpocząć masową produkcję pod koniec tego roku.
Samsung stwierdził, że przy 12 nm poziomie 32 GB rozwiązanie, które może osiągnąć do 1 TB modułów DRAM, może zaspokoić rosnące zapotrzebowanie na DRAM o dużej pojemności w erze sztucznej inteligencji.
Samsung opracował swój pierwszy 64 kb DRAM w 1983 roku i z powodzeniem zwiększył swoją zdolność DRAM o 500000 razy w ciągu ostatnich czterdziestu lat.
Najnowsze produkty pamięci Samsunga są opracowywane przy użyciu najnowocześniejszych procesów i technologii w celu poprawy gęstości integracji i optymalizacji projektowania.Mają najwyższą w branży pojemność pojedynczego DRAM i zapewniają dwukrotność pojemności 16 GB DDR5 DRAM w tej samej wielkości opakowania.
Wcześniej moduły DDR5 128 GB produkowane przy użyciu DRAM 16 GB wymagały zastosowania technologii krzemu poprzez dziurę (TSV).Teraz, stosując DRAM SAMSUNG 32 GB, moduły 128 GB można wytwarzać bez zastosowania technologii TSV, jednocześnie zmniejszając zużycie energii o około 10% w porównaniu z modułami 128 GB przy użyciu 16 GB DRAM.Ten przełom technologiczny sprawia, że ten produkt jest jednym z najlepszych rozwiązań dla przedsiębiorstw świadomych efektywności energetycznej, takich jak centra danych.
Na podstawie 32 GB DDR5 na poziomie 12 nm, Samsung planuje kontynuować rozszerzenie składu produktów DRAM o dużej pojemności, aby zaspokoić obecne i przyszłe potrzeby branży komputerowej i informatycznej.Samsung potwierdzi swoją pozycję lidera na rynku DRAM nowej generacji, zapewniając DRAM 12M 32 GB klientom w centrach danych, sztucznej inteligencji i aplikacjach obliczeniowych nowej generacji.