Samsung może zakontraktować układ autonomicznej jazdy piątej generacji dla Tesli, wykorzystujący technologię 4 nm
Według BusinessKorea znawcy branży stwierdzili 28 sierpnia, że rynek półprzewodników motoryzacyjnych zawsze był rynkiem skupiającym się na produktach z niższej półki w systemie produkcji obejmującym wiele produktów i małych partiach.Jednak zapotrzebowanie na półprzewodniki o wysokiej wydajności wzrosło ze względu na autonomiczną jazdę i samochodowe funkcje informacyjno-rozrywkowe, które mogą gwałtownie wzrosnąć.
Z raportu wynika, że trend miniaturyzacji na rynku półprzewodników motoryzacyjnych może pomóc firmie Samsung Electronics pozyskać więcej klientów OEM.Samsung to firma, która ma największe szanse na zdobycie zamówienia na chip autonomicznej jazdy piątej generacji (HW 5.0) Tesli, który będzie wykorzystywał najnowocześniejszą technologię 4 nm.
Według doniesień firma Samsung Electronics dostarczyła Tesli półprzewodniki wykonane w procesie technologicznym 14 nm w pełni autonomicznej jazdy (FSD), mając na celu osiągnięcie do 2027 r. procesu technologicznego 2 nm w chipach samochodowych.
Ponadto oczekuje się, że wzrost popytu na chipy samochodowe wpłynie również korzystnie na pozycję Samsunga w dziedzinie półprzewodników pamięci.W lipcu tego roku firma Samsung ogłosiła rozpoczęcie masowej produkcji nowej generacji pamięci flash Universal Flash (UFS) 3.1 NAND o pojemności 256 GB do samochodowych systemów informacyjno-rozrywkowych i określiła swój cel prześcignięcia firmy Micron na rynku samochodowych pamięci masowych do roku 2025.
Wzrost popytu na rynku półprzewodników motoryzacyjnych zaostrzył konkurencję pomiędzy Samsung Electronics a TSMC.Wychodząc naprzeciw rynkowi półprzewodników motoryzacyjnych, TSMC sfinalizowało plany budowy fabryki półprzewodników o wartości 10 miliardów euro (14,45 miliarda dolarów) w Dreźnie w Niemczech.TSMC oświadczyło, że nowa fabryka skupi się na produktach takich jak mikrokontrolery samochodowe (MCU), które będą budowane w oparciu o tradycyjny proces 28 nm.
Według doniesień firma Samsung Electronics dostarczyła Tesli półprzewodniki wykonane w procesie technologicznym 14 nm w pełni autonomicznej jazdy (FSD), mając na celu osiągnięcie do 2027 r. procesu technologicznego 2 nm w chipach samochodowych.
Ponadto oczekuje się, że wzrost popytu na chipy samochodowe wpłynie również korzystnie na pozycję Samsunga w dziedzinie półprzewodników pamięci.W lipcu tego roku firma Samsung ogłosiła rozpoczęcie masowej produkcji nowej generacji pamięci flash Universal Flash (UFS) 3.1 NAND o pojemności 256 GB do samochodowych systemów informacyjno-rozrywkowych i określiła swój cel prześcignięcia firmy Micron na rynku samochodowych pamięci masowych do roku 2025.
Wzrost popytu na rynku półprzewodników motoryzacyjnych zaostrzył konkurencję pomiędzy Samsung Electronics a TSMC.Wychodząc naprzeciw rynkowi półprzewodników motoryzacyjnych, TSMC sfinalizowało plany budowy fabryki półprzewodników o wartości 10 miliardów euro (14,45 miliarda dolarów) w Dreźnie w Niemczech.TSMC oświadczyło, że nowa fabryka skupi się na produktach takich jak mikrokontrolery samochodowe (MCU), które będą budowane w oparciu o tradycyjny proces 28 nm.