Specyfikacje
MRFE6VP6600NR3 Specyfikacje techniczne
Freescale Semiconductor - MRFE6VP6600NR3 Specyfikacje techniczne, atrybuty, parametry i części o podobnych specyfikacjach do Freescale Semiconductor - MRFE6VP6600NR3
| Atrybut produktu |
Wartość atrybutu
| |
| Pakiet |
Bulk |
|
| noise Figure |
- |
|
| Zdobyć |
24.7dB |
|
| Częstotliwość |
230MHz |
|
| Obecna ocena (wzmacniacz) |
- |
|
| Obecny - Test |
100 mA |
|
| Konfiguracja |
Dual |
|
Wysyłka
Czas dostawy
Przedmioty w magazynie można wysłać w ciągu 24 godzin.Niektóre części zostaną zorganizowane do dostawy w ciągu 1-2 dni od daty przybycia do naszego magazynu.A statki Allelco zamawiają raz dziennie około 17:00, z wyjątkiem niedzieli.Po wysłaniu towarów szacowany czas dostawy zależy od metod wysyłki i miejsca docelowego dostawy.Poniższa tabela pokazuje czas logistyczny dla niektórych wspólnych krajów.
Koszt dostawy
- Jeśli je masz, skorzystaj z konta ekspresowego do wysyłki.
- Skorzystaj z naszego konta dla wysyłki.Przybliżone opłaty można znaleźć w tabeli poniżej.
(Różne ramy czasowe / kraje / rozmiar pakietu ma inną cenę.)
Sposób dostawy
- Globalna wspólna wysyłka DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF obsługujemy.
- Inne więcej sposobów wysyłki, skontaktuj się z menedżerem klienta.
| Wspólne kraje Logistyczne odniesienie czasu |
| Region |
Kraj |
Czas logistyczny (dzień) |
| Ameryka |
Stany Zjednoczone |
5 |
| Brazylia |
7 |
| Europa |
Niemcy |
5 |
| Zjednoczone Królestwo |
4 |
| Włochy |
5 |
| Oceania |
Australia |
6 |
| Nowa Zelandia |
5 |
| Azja |
Indie |
4 |
| Japonia |
4 |
| Bliski Wschód |
Izrael |
6 |
| Opłaty za wysyłkę DHL i Fedex |
| Opłaty za wysyłkę (kg) |
Odniesienie DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notatka:
- Powyższa tabela dotyczy wyłącznie odniesienia.Mogą mieć pewne uprzedzenia dla niekontrolowanych czynników.
Skontaktuj się z nami, jeśli masz jakieś pytania.
MRFE6VP6600NR3NXP USA Inc.RF MOSFET LDMOS DL 50V OM780-4
MRFE6VS25GNR1Freescale SemiconductorRF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR