1N4006G Specyfikacje techniczne
SMC Diode Solutions - 1N4006G Specyfikacje techniczne, atrybuty, parametry i części o podobnych specyfikacjach do SMC Diode Solutions - 1N4006G
| Atrybut produktu | Wartość atrybutu | |
|---|---|---|
| Producent | Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions) | |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli | 1 V @ 1 A | |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks) | 800 V | |
| Technologia | Standard | |
| Dostawca urządzeń Pakiet | DO-41 | |
| Prędkość | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| Seria | - | |
| Package / Case | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Atrybut produktu | Wartość atrybutu | |
|---|---|---|
| Pakiet | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura pracy - złącze | -65°C ~ 175°C | |
| Rodzaj mocowania | Through Hole | |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr | 5 µA @ 800 V | |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) | 1A | |
| Pojemność @ VR F | 8pF @ 4V, 1MHz | |
| Podstawowy numer produktu | 1N400 |
Trzy części po prawej mają podobne specyfikacje jak SMC Diode Solutions 1N4006G.
| Atrybut produktu |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| Part Number | 1N4006G | 1N4007 | 1N4006 | 1N4007 |
| Producent | SMC Diode Solutions | EIC SEMICONDUCTOR INC. | Diotec Semiconductor | Rectron USA |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks) | 800 V | 1000 V | 800 V | 1000 V |
| Pakiet | Tape & Reel (TR) | Box | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| Rodzaj mocowania | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| Pojemność @ VR F | 8pF @ 4V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz | - | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli | 1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1 V @ 1 A |
| Seria | - | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
| Technologia | Standard | Standard | Standard | Standard |
| Podstawowy numer produktu | 1N400 | - | - | - |
| Prędkość | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr | 5 µA @ 800 V | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 800 V | 200 nA @ 1000 V |
| Package / Case | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AC, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Dostawca urządzeń Pakiet | DO-41 | DO-41 | DO-41/DO-204AC | DO-41 |
| Temperatura pracy - złącze | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -50°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C |
Pobierz arkusze danych 1N4006G PDF i dokumentację SMC Diode Solutions dla 1N4006G - SMC Diode Solutions.
1N4007EIC SEMICONDUCTOR INC.DIODE GEN PURP 1KV 1A DO411N4006Diotec SemiconductorDIODE GEN PURP 800V 1A DO411N4007Rectron USADIODE GEN PURP 1KV 1A DO411N4006G-T-S-NTRectron USA
1N4006onsemiDIODE GEN PURP 800V 1A DO411N4007NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 1KV 1A DO411N4007onsemiDIODE GEN PURP 1KV 1A DO411N4007SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 1KV 1A DO411N4006NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 800V 1A DO411N4006-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL1N4006-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
1N4007Micro Commercial CoDIODE GEN PURP 1KV 1A DO411N4006Micro Commercial CoDIODE GEN PURP 800V 1A DO411N4006SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 800V 1A DO411N4006GonsemiDIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL1N4007Diotec SemiconductorDIODE STD DO-41 1000V 1A1N4006GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL1N4006FFGonsemiDIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL| Wspólne kraje Logistyczne odniesienie czasu | ||
|---|---|---|
| Region | Kraj | Czas logistyczny (dzień) |
| Ameryka | Stany Zjednoczone | 5 |
| Brazylia | 7 | |
| Europa | Niemcy | 5 |
| Zjednoczone Królestwo | 4 | |
| Włochy | 5 | |
| Oceania | Australia | 6 |
| Nowa Zelandia | 5 | |
| Azja | Indie | 4 |
| Japonia | 4 | |
| Bliski Wschód | Izrael | 6 |
| Opłaty za wysyłkę DHL i Fedex | |
|---|---|
| Opłaty za wysyłkę (kg) | Odniesienie DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
Chcesz lepszą cenę? Dodaj do wózka i Prześlij RFQ Teraz skontaktujemy się z Tobą natychmiast.